MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3

MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3 (BUZ31 E3046)

Part Number: BUZ31 E3046

Documents / Media: datasheets BUZ31 E3046

Технические характеристики:

  • Упаковка: Tape & Reel (TR)
  • Серия: SIPMOS®
  • Состояние детали: Obsolete
  • Тип полевого транзистора: N-Channel
  • Технология: MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss): 200V
  • Ток стока (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 9A, 5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 1mA
  • Заряд затвора (Qg) @ Vgs: -
  • Vgs (Max): ±20V
  • Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1120pF @ 25V
  • Особенности полевого транзистора: -
  • Рассеивание мощности (Макс): 95W (Tc)
  • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа: Through Hole
  • Исполнение корпуса: PG-TO-220-3
  • Корпус: TO-220-3

Цена по запросу